晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】 pdf 下载 极速 mobi txt pdb lrf 网盘

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晶体生长手册4蒸发及外延法晶体生长技术(英文) 哈尔滨工业大学出版社【新华书店正版图书书籍】书籍详细信息

  • I***N:9787560338699
  • 作者:暂无作者
  • 出版社:暂无出版社
  • 出版时间:2013-01
  • 页数:417
  • 价格:61.00
  • 纸张:书写纸
  • 装帧:平装
  • 开本:16开
  • 语言:未知
  • 丛书:暂无丛书
  • TAG:暂无
  • 豆瓣评分:暂无豆瓣评分
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内容简介:

%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;%26nbsp;《springer手册精选系列·晶体生长手册(第4册):蒸发及外延法晶体生长技术(影印版)》的主题是气相生长。这一部分提


书籍目录:

缩略语PartD 晶体的气相生长23 SiC晶体的生长与表征23.1 SiC-背景与历史23.2 气相生长23.3 高温溶液生长23.4 籽晶升华的产业化体材料生长23.5 结构缺陷及其构造23.6


作者介绍:

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出版社信息:

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书籍摘录:

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原文赏析:

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其它内容:

书籍介绍

《晶体生长手册4:蒸发及外延法晶体生长技术(影印版)》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的,主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。


书籍真实打分

  • 故事情节:5分

  • 人物塑造:3分

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  • 文字风格:7分

  • 语言运用:8分

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  • 思想传递:6分

  • 知识深度:3分

  • 知识广度:8分

  • 实用性:6分

  • 章节划分:7分

  • 结构布局:7分

  • 新颖与独特:6分

  • 情感共鸣:7分

  • 引人入胜:8分

  • 现实相关:6分

  • 沉浸感:4分

  • 事实准确性:8分

  • 文化贡献:7分


网站评分

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下载评价

  • 网友 瞿***香:

    非常好就是加载有点儿慢。

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    中评,比上不足比下有余

  • 网友 索***宸:

    书的质量很好。资源多


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